مصرف توان بالا، یکی از چالش های اساسی در طراحی تقویت کننده کم نویز با روش تطبیق همزمان نویز و امپدانس می باشد. در این مقاله یک روش طراحی برای کاهش توان مصرفی تقویت کننده های کم نویز ارائه شده است. در ابتدا به بررسی اثرات ولتاژهای نقطه کار و ابعاد تزانزیستور برروی پارامترهای نویزی پرداخته خواهد شد. در نظر گرفتن اثر پارامترهای ترانزیستور روی عملکرد نویز، منجر به طراحی تقویت کننده کم نویز با عدد نویز کم و مصرف توان پایین می گردد. سپس یک تقویت کننده کم نویز با روش پیشنهادی در فرکانس 5.2 گیگاهرتز، و پهنای باند تقریبا 1 گیگاهرتز در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18mm طراحی گردیده که نتایج شبیه سازی پسا جانمایی، نشان دهنده توان مصرفی 2.1mW، تحت ولتاز تغذیه 1.4 ولت، عدد نویز 2.71 dB، عدد نویز کمینه 2.1 dB، بهره توان 16.38 dB، ایزولاسیون معکوس -40.42 dB، تلفات بازگشتی ورودی -21.45 dB و تلفات بازگشتی خروجی -23.59 dB است.

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز با عدد نویز کمتر از 2dB و بهره حدود 20dB در باند S طراحی و ساخته شده است. سپس با استفاده از پارامترهای پراکندگی و نویز ترانزیستور، مدل سیگنال و نویز مناسبی برای آن استخراج گردیده و با استفاده از نتایج مدلسازی، آنالیز همزمان سیگنال و نویز به مدار فوق اعمال شده است. در ادامه عدد نویز و بهره کل تقویت کننده محاسبه شده و در انتها، نتایج حاصل از آنالیز و شبیه سازی نرم افزاری و نیز نتایج عملی مقایسه گردیده است.

با توجه به نقش اصلی گیت های XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوک های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب کننده ها، تمام جمع کننده ها، مقایسه گرها و دیگر مدارها هستند، روش های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد مدارات XOR-XNOR گوناگونی مقایسه شده و یک گیت XOR-XNOR توان پایین و مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور طراحی و ارائه شده است. در پدافند غیرعامل مقاومت در برابر اختلال های الکترومغناطیسی که به صورت نویز در مدارهای الکترونیکی ظاهر می شود، بسیار حائز اهمیت است. بنابراین افزایش مقاومت در برابر نویز به محافظت مدارها در مقابله با اختلال های الکترومغناطیسی کمک خواهد کرد. نتیجه های شبیه سازی در فناوری0.18 (mm)  در نرم افزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهای تغذیه از 0.6 (V) تا 3.3 (V) نشان می دهد که مدار پیشنهادی توان مصرفی پایین تر، PDP بهتر و مصونیت نویز مناسبی نسبت به آخرین مدارهای XOR-XNOR گزارش شده را داراست.

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز چند باند با شبکه ورودی قابل تنظیم برای کاربردهای چند استانداردارائه شده است. این LNA قادر به عملکرد تک باند و دو باند هم زمان می باشد. در مدار پیشنهادی از سه کلید برای تغییر ساختار و یک ولتاژ کنترل جهت تغییر باند های عملکردی استفاده شده است. با این روش توانسته ایم تا 5 باند فرکانسی را پوشش دهیم. این LNA در تکنولوژی 0.18mm CMOS شرکت TSMC طراحی و شبیه سازی شده است. ساختار ارائه شده جهت استفاده در گیرنده های چند استاندراد و کاربردهای SDR مناسب است. نتایج شبیه سازی عدد نویز کمتر از 2.2 dB، S11 کمتر از -16dB و S11 بالاتر از 12.3dB را برای تمام باندهای فرکانسی ارائه می دهد. این ساختار از منبع تغذیه 1.5 ولتی، به مقدار 8.55 میلی وات توان مصرف می کند. ساختار پیشنهادی در مقایسه با کارهای پیشین، تعداد باند بیشتری را پشتیبانی کرده و عدد نویز بهتری دارد. بهره و خطینگی تقویت کننده پیشنهادی نیز در مقایسه با ساختارهای مشابه مقدار قابل قبولی دارد.

در این مقاله طراحی و تحلیل یک مدار پیشنهادی مرجع ولتاژ Bandgap با استفاده از تکنیک های مداری برای حذف اثر دمایی و منبع تغذیه بر روی ولتاژ خروجی ارائه شده است. در این مقاله با اعمال تکنیک های مداری همانند مدار تأمین کننده ی جریان بیس برای مستقل شدن ولتاژ خروجی از پروسه ی ساخت و همچنین بکارگیری خازن بزرگ و آینه های جریان کسکود خود بایاس با سوئینگ بالا، نسبت رد منبع تغذیه بدون تاثیر بر چگالی طیفی توان، بهبود می یابد. نحوه عملکرد مدار پیشنهادی بر این اساس است که از آینه های جریان کسکود خود بایاس برای کاهش وابستگی به منبع تغذیه و حذف ولتاژ بایاس استفاده شده است. همچنین از دو ولتاژ بیس امیتر به صورت سری برای کاهش اثر عدم تطابق ترانزیستورهای MOSFET، از خازن بزرگ برای حذف اغتشاشات خارجی و بهینه سازی ابعاد ترانزیستورها برای کاهش چگالی طیفی توان نویز خروجی در تحقق آن بکار گرفته شده است. مدار پیشنهادی توسط نرم افزار ADS شبیه سازی شده و ولتاژ خروجی مدار مرجع حدود 2/1 ولت می باشد. همچنین اندازه ی قدر مطلق نسبت رد منبع تغذیه و چگالی طیفی توان نویز خروجی مدار در فرکانس 100 هرتز به ترتیب برابر dB 94/109 و nv/√ Hz 072/3 بدست آمده است. در بازه ی دمایی ℃ 40-تا ℃ 120، تغییرات دمایی ولتاژ خروجی برابر ppm/℃ 3/28 به دست آمده است. از این مرجع ولتاژ می توان در دستگاهها و تجهیزات الکترونیکی و مخابراتی استفاده کرد.

1رادیو شناختی یک سیستم ارتباطی بیسیم فوق العاده پهن باند است که قابلیت استفاده بهینه از طیف فرکانسی موجود را دارد. برای تحقق چنین سیستمی نیاز به یک تقویت­کننده کم­نویز با پهنای باند بسیار پهن (از MHz 50 تا GHz 10) می­باشد. در این کار یک تقویت­ کننده کم­نویز کم­مصرف بسیار پهن­باند طراحی شده که دارای ساختار شبه تفاضلی و سلف فعال است. بکارگیری مدارهای فعال مبتنی بر فناوری  CMOSکه رفتار سلفی از خود نشان می­دهند به عنوان سلف فعال، علاوه بر افزایش پهنای باند تقویت­کننده­ و کاهش سطح تراشه، دارای بهره ذاتی بوده و به علت داشتن ضریب کیفیت بالا، قابلیت تنظیم اندوکتانس و فرکانس را نیز دارا می­باشد. در این مقاله با اتصال ضربدری دو سلف فعال متشکل از توپولوژی گیت مشترک، یک تقویت­­کننده کم­نویز فوق پهن­باند برای این سیستم، طراحی شده است. این ساختار علاوه بر افزایش پهنای باند فرکانسی، به علت شرایط شبه تفاضلی، با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستورها، علاوه بر کاهش توان مصرفی، سبب کاهش عدد نویز مدار می­شود. نتایج شبیه­سازی با تکنولوژی µmCMOS18/0 نشان می­دهد که در گستره فرکانسی از MHz50 تا GHz10، این ساختار دارای تطبیق ورودی در کل طیف فرکانسی، و بهتر از dB10-، تغییرات بهره ولتاژ از dB 19-5/16، تغییرات عدد نویز از dB7-3 و نقطه تقاطع مرتبه سوم  dBm7/6- را با توان مصرفی  mW29/9 ارائه می­دهد که برای تحقق سیستم رادیو شناختی نظامی کاملا قابل قبول است.